Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND
Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

Disco SSD Samsung 990 1TB/ M.2 2280 PCIe Gen4/ Full Capacity

Samsung 990, 1 TB, M.2, 7150 MB/s

249,53 €
Impuestos incluidos

 

Marca Samsung
Modelo MZ-V9V1T0BW
Características - Tipo: SSD interno
- Capacidad: 1 TB (1.000 GB)
- Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
- Factor de forma: M.2 2280
- Velocidad de lectura secuencial: hasta 7.450 MB/s
- Velocidad de escritura secuencial: hasta 6.900 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.200.000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.550.000 IOPS
- Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Memoria caché: 1 GB Low Power DDR4 SDRAM
- MTBF: 1.500.000 horas
- Encriptación: AES 256 bits (Clase 0), TCG/Opal, IEEE1667
- TRIM
- S.M.A.R.T.
- Garbage Collection automático
- Device Sleep Mode
- Voltaje soportado: 3,3 V ± 5%
- Temperatura operativa: 0 a 70 °C
- Resistencia a golpes: 1.500 G
- Software de gestión: Magician
- Consumo medio: 5,4 W
- Consumo máximo: 7,8 W
- Consumo en reposo: 50 mW
Dimensiones y peso
- 80 x 22 x 2,3 mm
- 9 g
Fecha de revisión 14-08-2026 por IS
Tipo de memoria
V-NAND
Componente para
PC
Interfaz
PCI Express 4.0
Factor de forma de disco SSD
M.2
SDD, capacidad
1 TB
NVMe
Si
Encriptación de hardware
Si
Samsung
MZ-V9V1T0BW
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