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Samsung MZ-V8P2T0BW unidad de estado sólido M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Samsung MZ-V8P2T0BW, 2000 GB, M.2, 7000 MB/s
Samsung MZ-V8P2T0BW. SDD, capacidad: 2000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7000 MB/s, Velocidad de escritura: 5100 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
| Factor de forma de disco SSD | M.2 |
| SDD, capacidad | 2000 GB |
| Interfaz | PCI Express 4.0 |
| Tipo de memoria | V-NAND MLC |
| NVMe | Si |
| Componente para | PC/ordenador portátil |
| Encriptación de hardware | Si |
| Versión NVMe | 1.3c |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| Velocidad de lectura | 7000 MB/s |
| Velocidad de escritura | 5100 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 1000000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 1000000 IOPS |
| Carriles datos de interfaz PCI Express | x4 |
| Soporte S.M.A.R.T. | Si |
| Soporte TRIM | Si |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Voltaje de operación | 3,3 V |
| Consumo de energía (max) | 7,2 W |
| Consumo de energía (promedio) | 6,1 W |
| Consumo de energía (inactivo) | 0,035 W |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Máxima temperatura | 70 °C |
| Golpes en funcionamiento | 1500 G |
| Ancho | 80,2 mm |
| Profundidad | 2,38 mm |
| Altura | 22,1 mm |
| Peso | 9 g |
| Tipo de embalaje | Caja |
- Tipo de memoria
- V-NAND MLC
- Componente para
- PC/ordenador portátil
- Interfaz
- PCI Express 4.0
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- SDD, capacidad
- 2000 GB
- NVMe
- Si
- Encriptación de hardware
- Si
MZ-V8P2T0BW
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