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Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Samsung MZ-V9P1T0, 1 TB, M.2, 7450 MB/s
Samsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC
Factor de forma de disco SSD | M.2 |
SDD, capacidad | 1 TB |
Interfaz | PCI Express 4.0 |
Tipo de memoria | V-NAND MLC |
NVMe | Si |
Componente para | PC |
Encriptación de hardware | Si |
Versión NVMe | 2.0 |
Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
Velocidad de lectura | 7450 MB/s |
Velocidad de escritura | 6900 MB/s |
Lectura aleatoria (4KB) | 1200000 IOPS |
Escritura aleatoria (4KB) | 1550000 IOPS |
Tamaño de la unidad SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
Función DevSleep | Si |
Soporte S.M.A.R.T. | Si |
Soporte TRIM | Si |
Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
Voltaje de operación | 3,3 V |
Consumo de energía (max) | 7,8 W |
Consumo de energía (promedio) | 5,4 W |
Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
Golpes en funcionamiento | 1500 G |
Ancho | 80 mm |
Profundidad | 8,2 mm |
Altura | 24,3 mm |
Peso | 28 g |
- Tipo de memoria
- V-NAND MLC
- Componente para
- PC
- Interfaz
- PCI Express 4.0
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- SDD, capacidad
- 1 TB
- NVMe
- Si
- Encriptación de hardware
- Si
MZ-V9P1T0GW
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