Samsung MZ-V9P1T0
Samsung MZ-V9P1T0

Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Samsung MZ-V9P1T0, 1 TB, M.2, 7450 MB/s

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Samsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC
Factor de forma de disco SSDM.2
SDD, capacidad1 TB
InterfazPCI Express 4.0
Tipo de memoriaV-NAND MLC
NVMeSi
Componente paraPC
Encriptación de hardwareSi
Versión NVMe2.0
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Velocidad de lectura7450 MB/s
Velocidad de escritura6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)1200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)1550000 IOPS
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Función DevSleepSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Voltaje de operación3,3 V
Consumo de energía (max)7,8 W
Consumo de energía (promedio)5,4 W
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G
Ancho80 mm
Profundidad8,2 mm
Altura24,3 mm
Peso28 g
Tipo de memoria
V-NAND MLC
Componente para
PC
Interfaz
PCI Express 4.0
Factor de forma de disco SSD
M.2
SDD, capacidad
1 TB
NVMe
Si
Encriptación de hardware
Si
Samsung
MZ-V9P1T0GW
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